MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHG17N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 15 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
210-4986
Nº ref. fabric.:
SIHG17N80AE-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

15A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Serie

E

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

250mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

179W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

41nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

4.83mm

Longitud

35.3mm

Anchura

15.66 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El Vishay serie E Power MOSFET tiene un tipo de encapsulado TO-247AC con corriente de drenaje de 15 A.

Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja

Baja capacitancia efectiva (Co(er))

Menores pérdidas por conmutación y conducción

Valor nominal de energía de avalancha (UIS)

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