MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHG15N80AEF-GE3, VDSS 800 V, ID 13 A, TO-247 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
225-9914
Nº ref. fabric.:
SIHG15N80AEF-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

13A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

TO-247

Serie

EF

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

350mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

156W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

54nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

10.41mm

Longitud

6.73mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

2.39 mm

Estándar de automoción

No

El Vishay Siliconix mantiene los datos de fiabilidad para la tecnología de semiconductores y la fiabilidad del encapsulado representa un compuesto de todas las ubicaciones cualificadas.

Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja

Baja capacitancia efectiva (Co(er))

Menores pérdidas por conmutación y conducción

Energía nominal de avalancha (UIS)

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