MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHG11N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 8 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 210-4982
- Nº ref. fabric.:
- SIHG11N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- 210-4982
- Nº ref. fabric.:
- SIHG11N80AE-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | E | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 391mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 78W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 28nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 4.83mm | |
| Longitud | 45.3mm | |
| Anchura | 15.5 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie E | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 391mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 78W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 28nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 4.83mm | ||
Longitud 45.3mm | ||
Anchura 15.5 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El Vishay serie E Power MOSFET tiene un tipo de encapsulado TO-247AC con una configuración única.
Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja
Baja capacitancia efectiva (CISS)
Menores pérdidas por conmutación y conducción
Carga de compuerta (Qg) ultrabaja
Valor nominal de energía de avalancha (UIS)
Protección ESD de diodo Zener integrado
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