MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 500 V, ID 19 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

Código RS:: 169-5791
Nº ref. fabric.:: SIHG20N50E-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 500 V, ID 19 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:: 169-5791
Nº ref. fabric.:: SIHG20N50E-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	19A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	500V
	Serie	E
	Encapsulado	TO-247
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	180mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	46nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	30 V
	Tensión directa Vf	-1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd	179W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	5.31 mm
	Altura	20.82mm
	Longitud	15.87mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 19A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V
	Serie E
	Encapsulado TO-247
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 180mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 46nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V
	Tensión directa Vf -1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd 179W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 5.31 mm
	Altura 20.82mm
	Longitud 15.87mm
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: CN

MOSFET de canal N, serie E, bajo factor de mérito, Vishay Semiconductor

Los MOSFET de potencia de la serie E de Vishay son transistores de alta tensión con un nivel máximo en resistencia, factor de mérito bajo y una conmutación rápida. Están disponibles en una amplia gama de corrientes nominales. Las aplicaciones típicas incluyen servidores y fuentes de alimentación para telecomunicaciones, iluminación LED, convertidores Flyback, corrección de factor de potencia (PFC) y fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS).

Características

Bajo factor de mérito (FOM) RDS(on) x QG

Baja capacitancia de entrada (Ciss)

Nivel bajo en resistencia (RDS(on))

Carga de compuerta (Qg) ultrabaja

Conmutación rápida

Menores pérdidas por conmutación y conducción

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 500 V, ID 19 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €

MOSFET de canal N, serie E, bajo factor de mérito, Vishay Semiconductor

Características

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

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