MOSFET Vishay SIHG20N50E-GE3, VDSS 500 V, ID 19 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 169-5791
Nº ref. fabric.:: SIHG20N50E-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SIHG20N50E-GE3, VDSS 500 V, ID 19 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple

314 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (En un Tubo de 25)

2,32 €

(exc. IVA)

2,81 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Tubo*
25 +	2,32 €	58,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 169-5791
Nº ref. fabric.:: SIHG20N50E-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de canal N, serie E, bajo factor de mérito, Vishay Semiconductor

Los MOSFET de potencia de la serie E de Vishay son transistores de alta tensión con un nivel máximo en resistencia, factor de mérito bajo y una conmutación rápida. Están disponibles en una amplia gama de corrientes nominales. Las aplicaciones típicas incluyen servidores y fuentes de alimentación para telecomunicaciones, iluminación LED, convertidores Flyback, corrección de factor de potencia (PFC) y fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS).

Características

Bajo factor de mérito (FOM) RDS(on) x QG
Baja capacitancia de entrada (Ciss)
Nivel bajo en resistencia (RDS(on))
Carga de compuerta (Qg) ultrabaja
Conmutación rápida
Menores pérdidas por conmutación y conducción

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	19 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	500 V
Serie	E Series
Tipo de Encapsulado	TO-247AC
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	180 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	179 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	5.31mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	46 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Longitud	15.87mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Tensión de diodo directa	1.2V
Altura	20.82mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C