MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIHG20N50E-GE3, VDSS 500 V, ID 19 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines
- Código RS:
- 121-9656
- Nº ref. fabric.:
- SIHG20N50E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,84 € | 7,68 € |
| 20 - 98 | 3,61 € | 7,22 € |
| 100 - 198 | 3,27 € | 6,54 € |
| 200 - 498 | 3,08 € | 6,16 € |
| 500 + | 2,885 € | 5,77 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 121-9656
- Nº ref. fabric.:
- SIHG20N50E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 19A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Encapsulado | TO-247AC | |
| Serie | E | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 184mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 46nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 179W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -30, +30V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 20.82mm | |
| Longitud | 15.87mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 5.31mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 19A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Encapsulado TO-247AC | ||
Serie E | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 184mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 46nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 179W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -30, +30V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 20.82mm | ||
Longitud 15.87mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 5.31mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 500 V, corriente de drenaje continua de 19 A - SIHG20N50E-GE3
Características y ventajas:
• La corriente de drenaje continua de 19 A permite una manipulación de carga sustancial
• La disipación de potencia de 179 W permite un funcionamiento de alta potencia
• La RDS(on) máxima de 184 mΩ minimiza las pérdidas por conducción
• La carga de puerta típica de 46 nC reduce la energía de control de conmutación
• El valor nominal máximo de puerta de 30 V permite tensiones de accionamiento de puerta estándar
Aplicaciones
• Ideal para conjuntos de transistor de potencia TO-247 de 500 V con orificio pasante
• Se utiliza con inversores de alta tensión y etapas de accionamiento de motor
• Puede utilizarse para fuentes de alimentación y convertidores industriales
• Se utiliza para reparaciones de orificios pasantes heredados y placas de prototipos
¿Cuáles son los límites térmicos para el despliegue en entornos calientes?
¿Qué método de montaje es necesario para una instalación fiable?
¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta debo admitir durante el diseño?
¿Cómo cumple la pieza las restricciones de material para la fabricación?
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