MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiHG70N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 70 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
903-4475
Nº ref. fabric.:
SiHG70N60EF-GE3
Fabricante:
Vishay
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Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

70A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-247

Serie

EF

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

38mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

253nC

Disipación de potencia máxima Pd

520W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

15.87mm

Altura

20.82mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N con diodo rápido, serie EF, Vishay Semiconductor


Menor tiempo de recuperación inversa, carga de recuperación inversa y corriente de recuperación inversa

Bajo factor de mérito (FOM)

Baja capacitancia de entrada (Ciss)

Mayor solidez por la baja carga de recuperación inversa

Carga de compuerta (Qg) ultrabaja

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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