Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiHG70N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 70 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

Código RS:: 903-4475
Nº ref. fabric.:: SiHG70N60EF-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiHG70N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 70 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:: 903-4475
Nº ref. fabric.:: SiHG70N60EF-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	70A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	600V
	Encapsulado	TO-247
	Serie	EF
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	38mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	520W
	Tensión directa Vf	1.2V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	253nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	20.82mm
	Longitud	15.87mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 70A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V
	Encapsulado TO-247
	Serie EF
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 38mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 520W
	Tensión directa Vf 1.2V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 253nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Altura 20.82mm
	Longitud 15.87mm
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: CN

MOSFET de canal N con diodo rápido, serie EF, Vishay Semiconductor

Menor tiempo de recuperación inversa, carga de recuperación inversa y corriente de recuperación inversa

Bajo factor de mérito (FOM)

Baja capacitancia de entrada (Ciss)

Mayor solidez por la baja carga de recuperación inversa

Carga de compuerta (Qg) ultrabaja

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiHG70N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 70 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

MOSFET de canal N con diodo rápido, serie EF, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

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