MOSFET Vishay SiHG70N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 70 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 903-4475
Nº ref. fabric.:: SiHG70N60EF-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SiHG70N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 70 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple

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Precio Unidad

11,41 €

(exc. IVA)

13,81 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
1 - 9	11,41 €
10 - 24	10,85 €
25 - 49	10,27 €
50 - 99	9,14 €
100 +	8,68 €

Código RS:: 903-4475
Nº ref. fabric.:: SiHG70N60EF-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de canal N con diodo rápido, serie EF, Vishay Semiconductor

Menor tiempo de recuperación inversa, carga de recuperación inversa y corriente de recuperación inversa
Bajo factor de mérito (FOM)
Baja capacitancia de entrada (Ciss)
Mayor solidez por la baja carga de recuperación inversa
Carga de compuerta (Qg) ultrabaja

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	70 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	600 V
Tipo de Encapsulado	TO-247AC
Serie	EF Series
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	38 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	520 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Ancho	5.31mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	253 nC a 10 V
Longitud	15.87mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	20.82mm
Tensión de diodo directa	1.2V