MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 600 V, ID 70 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*

397,80 €

(exc. IVA)

481,35 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 09 de septiembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Tubo*
50 +7,956 €397,80 €

*precio indicativo

Código RS:
178-0891
Nº ref. fabric.:
SIHG70N60EF-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

70A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-247

Serie

EF

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

38mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

253nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

520W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

15.87mm

Altura

20.82mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N con diodo rápido, serie EF, Vishay Semiconductor


Menor tiempo de recuperación inversa, carga de recuperación inversa y corriente de recuperación inversa

Bajo factor de mérito (FOM)

Baja capacitancia de entrada (Ciss)

Mayor solidez por la baja carga de recuperación inversa

Carga de compuerta (Qg) ultrabaja

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Enlaces relacionados