MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SiHG17N80AEF-GE3, VDSS 850 V, ID 15 A, TO-247AC, Mejora de 3 pines
- Código RS:
- 228-2866
- Nº ref. fabric.:
- SiHG17N80AEF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 228-2866
- Nº ref. fabric.:
- SiHG17N80AEF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 15A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 850V | |
| Encapsulado | TO-247AC | |
| Serie | E Series | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.305Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 15A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 850V | ||
Encapsulado TO-247AC | ||
Serie E Series | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.305Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
El MOSFET de potencia de la serie E de Vishay reduce las pérdidas de conmutación y conducción.
Bajo valor de mérito (FOM) Ron x Qg
Capacitancia efectiva baja (Co(er))
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