MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiHG32N50D-GE3, VDSS 500 V, ID 30 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
787-9207
Nº ref. fabric.:
SiHG32N50D-GE3
Fabricante:
Vishay
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Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

500V

Serie

SiHG32N50D

Encapsulado

TO-247AC

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

150mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Disipación de potencia máxima Pd

390W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

64nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

15.87mm

Anchura

5.31mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

20.82mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, de 500 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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