MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiHG32N50D-GE3, VDSS 500 V, ID 30 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines

Ver todo MOSFET
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
Opciones de empaquetado:
Código RS:
787-9207
Nº ref. fabric.:
SiHG32N50D-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

500V

Encapsulado

TO-247AC

Serie

SiHG32N50D

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

150mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

390W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

64nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

15.87mm

Altura

20.82mm

Anchura

5.31 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, de 500 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Enlaces relacionados