MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHG155N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 21 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines
- Código RS:
- 279-9912
- Nº ref. fabric.:
- SIHG155N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
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| 4 - 8 | 4,895 € | 9,79 € |
| 10 - 28 | 4,79 € | 9,58 € |
| 30 - 98 | 4,69 € | 9,38 € |
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- Código RS:
- 279-9912
- Nº ref. fabric.:
- SIHG155N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 21A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-247AC | |
| Serie | SIHG | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.159Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 38nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 179W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 15.7mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 21A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-247AC | ||
Serie SIHG | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.159Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 38nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 179W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 15.7mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Vishay es de potencia de la serie E con diodo de cuerpo rápido, y el transistor que lleva está fabricado de material conocido como silicio.
Tecnología de la serie E de 4.ª generación
Bajo factor de mérito (FOM), Ron x Qg
Capacitancia efectiva baja
Calificación energética de avalancha
Reducción de pérdidas de conmutación y conducción
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