MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 800 V, ID 8 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines

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Código RS:
653-140
Nº ref. fabric.:
SIHP11N80AEF-GE3
Fabricante:
Vishay
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Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

JEDEC TO-220AB

Serie

EF

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.483Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

27nC

Disipación de potencia máxima Pd

78W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia serie EF de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 800 V, corriente de drenaje continua de 8 A - SIHP11N80AEF-GE3


Este MOSFET de potencia es un dispositivo de conmutación de alta tensión diseñado para su uso en sistemas de control y conversión de potencia industriales. Funciona como un transistor de modo de mejora de canal N en un encapsulado TO‐220AB de orificio pasante, lo que proporciona una opción práctica para los ingenieros que requieren un componente discreto para montaje a nivel de placa y gestión térmica en entornos exigentes.

Características y ventajas:


• Valor nominal de drenaje de 800 V que permite aplicaciones de conmutación de alta tensión • Corriente de drenaje continua de 8 A que admite corrientes de carga moderadas • Rds(on) de 0,483 Ω que reduce las pérdidas de conducción bajo carga • Disipación de potencia de 78 W para un manejo térmico eficaz • Carga de puerta típica de 27 nC para una dinámica de conmutación predecible • Temperatura de funcionamiento máxima de 150 °C para uso a temperaturas elevadas

Aplicaciones


• Apto para extremos delanteros de accionamiento de motor industrial que manejan alta tensión • Ideal para fuentes de alimentación que requieren elementos de conmutación de alta tensión • Se utiliza para etapas de inversor en sistemas eléctricos de potencia media • Puede utilizarse para circuitos de freno y amortiguador en equipos de automatización

¿Qué rango de tensión de puerta debe observarse para un funcionamiento seguro?


El dispositivo requiere excursiones de puerta dentro de un máximo de ±30 V en relación con su fuente para evitar sobretensión de puerta.

¿Cómo afecta el encapsulado a la gestión térmica en una placa poblada?


El formato de orificio pasante TO‐220AB permite el disipador térmico directo a la lengüeta trasera, lo que mejora la conducción a un disipador térmico externo y ayuda a eliminar 78 W de potencia disipada con la refrigeración adecuada.

¿Qué condiciones ambientales limitan su despliegue?


El componente está especificado para funcionar hasta -55 °C y hasta 150 °C de temperatura de unión

el diseño térmico del sistema debe garantizar que las temperaturas de unión permanezcan por debajo del límite de 150 °C.

¿Qué consideración de conmutación surge de la cifra de carga de puerta?


Una carga de puerta típica de 27 nC permite a los diseñadores estimar los requisitos de corriente de accionamiento y las pérdidas de conmutación al seleccionar un controlador de puerta y predecir la temporización de encendido/apagado.

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