MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 800 V, ID 8 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines

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Código RS:
653-140
Nº ref. fabric.:
SIHP11N80AEF-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Serie

EF

Encapsulado

JEDEC TO-220AB

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.483Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Disipación de potencia máxima Pd

78W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

27nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia Vishay está diseñado para aplicaciones de conmutación de alta tensión. Dispone de un diodo de cuerpo rápido, una baja cifra de mérito (FOM) y una capacidad efectiva reducida para mejorar la eficiencia. Encapsulado en un encapsulado TO-220AB, es ideal para servidores, telecomunicaciones, SMPS y fuentes de alimentación de corrección de factor de potencia.

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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