MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 800 V, ID 8 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines

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Código RS:
653-140
Nº ref. fabric.:
SIHP11N80AEF-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Serie

EF

Encapsulado

JEDEC TO-220AB

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.483Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

78W

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

27nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia Vishay está diseñado para aplicaciones de conmutación de alta tensión. Dispone de un diodo de cuerpo rápido, una baja cifra de mérito (FOM) y una capacidad efectiva reducida para mejorar la eficiencia. Encapsulado en un encapsulado TO-220AB, es ideal para servidores, telecomunicaciones, SMPS y fuentes de alimentación de corrección de factor de potencia.

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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