MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SIHP11N80AEF-GE3, VDSS 800 V, ID 8 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- Código RS:
- 653-139
- Nº ref. fabric.:
- SIHP11N80AEF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 653-139
- Nº ref. fabric.:
- SIHP11N80AEF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Serie | EF | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.483Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 78W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±30 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 27nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Serie EF | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.483Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 78W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 27nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia Vishay está diseñado para aplicaciones de conmutación de alta tensión. Dispone de un diodo de cuerpo rápido, una baja cifra de mérito (FOM) y una capacidad efectiva reducida para mejorar la eficiencia. Encapsulado en un encapsulado TO-220AB, es ideal para servidores, telecomunicaciones, SMPS y fuentes de alimentación de corrección de factor de potencia.
Sin Pb
Sin halógenos
Cumplimiento de RoHS
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