MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIHP110N65SF-GE3, VDSS 650 V, ID 33 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines

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Código RS:
735-263
Nº ref. fabric.:
SIHP110N65SF-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

33A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

JEDEC TO-220AB

Serie

SF Series

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.115Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

313W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

83nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
IL
El MOSFET de potencia de Vishay está diseñado para un manejo eficiente de la energía en sistemas electrónicos avanzados. Con una baja capacitancia efectiva, minimiza las pérdidas de conmutación y conducción, lo que garantiza un rendimiento y una fiabilidad mejorados. Su valor nominal de energía de avalancha y su conformidad ecológica lo convierten en una opción robusta y sostenible para aplicaciones modernas.

Reduce las pérdidas por conmutación y conducción para un mejor rendimiento

Ofrece una calificación de energía de avalancha para mayor durabilidad

Garantiza una baja cifra de mérito para un diseño optimizado

Mantiene el cumplimiento de la normativa RoHS en materia medioambiental

Estructura sin halógenos para un uso más seguro

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