MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIHP110N65SF-GE3, VDSS 650 V, ID 33 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- Código RS:
- 735-263
- Nº ref. fabric.:
- SIHP110N65SF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 unidad)*
3,84 €
(exc. IVA)
4,65 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 03 de septiembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 3,84 € |
| 10 - 49 | 2,38 € |
| 50 - 99 | 1,85 € |
| 100 + | 1,36 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 735-263
- Nº ref. fabric.:
- SIHP110N65SF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 33A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | SF Series | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.115Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 313W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 83nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 33A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Serie SF Series | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.115Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 313W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 83nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- IL
El MOSFET de potencia de Vishay está diseñado para un manejo eficiente de la energía en sistemas electrónicos avanzados. Con una baja capacitancia efectiva, minimiza las pérdidas de conmutación y conducción, lo que garantiza un rendimiento y una fiabilidad mejorados. Su valor nominal de energía de avalancha y su conformidad ecológica lo convierten en una opción robusta y sostenible para aplicaciones modernas.
Reduce las pérdidas por conmutación y conducción para un mejor rendimiento
Ofrece una calificación de energía de avalancha para mayor durabilidad
Garantiza una baja cifra de mérito para un diseño optimizado
Mantiene el cumplimiento de la normativa RoHS en materia medioambiental
Estructura sin halógenos para un uso más seguro
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET sencillos VDSS 800 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 400 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
