MOSFET, N-Canal Vishay SIHP054N65E-GE3, VDSS 650 V, ID 47 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- Código RS:
- 279-9921
- Nº ref. fabric.:
- SIHP054N65E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- 279-9921
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- Fabricante:
- Vishay
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 47A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | SIHP | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.058Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 108nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 312W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 47A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Serie SIHP | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.058Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 108nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 312W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET serie SIHP de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 650 V, corriente de drenaje continua máxima de 47 A - SIHP054N65E-GE3
Características y ventajas:
• La corriente de drenaje continua de 47 A admite un funcionamiento de carga pesada
• La disipación de potencia de 312 W permite un manejo de alta potencia sostenido
• La Rds(on) de 0.058 Ω reduce las pérdidas de conducción bajo carga
• La carga de puerta típica de 108 nC permite una dinámica de conmutación controlada
• La resistencia de fuente de puerta de 30 V protege el margen de accionamiento
Aplicaciones
• Ideal para fuentes de alimentación y convertidores de alta tensión
• Se utiliza para conjuntos de conmutación de inversor de energía renovable
• Puede utilizarse para SAI y electrónica de potencia de batería de reserva
• Apto para circuitos de recambio de relés de alta corriente
¿Qué temperaturas extremas puede soportar en funcionamiento?
¿Cómo se monta el dispositivo para garantizar la estabilidad térmica y mecánica?
¿Cuál es el comportamiento de conmutación esperado con respecto al accionamiento de puerta?
¿Cómo influye la resistencia de encendido en la eficiencia en diseños de alta corriente?
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