MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIHP690N60E-GE3, VDSS 650 V, ID 6.4 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- Código RS:
- 200-6821
- Nº ref. fabric.:
- SIHP690N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Subtotal (1 paquete de 25 unidades)*
54,925 €
(exc. IVA)
66,45 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
- Disponible(s) 25 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 2,197 € | 54,93 € |
| 50 - 100 | 2,066 € | 51,65 € |
| 125 - 225 | 1,867 € | 46,68 € |
| 250 - 600 | 1,758 € | 43,95 € |
| 625 + | 1,648 € | 41,20 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 200-6821
- Nº ref. fabric.:
- SIHP690N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | E | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 700mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 62.5W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Serie E | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 700mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 62.5W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 650 V, corriente de drenaje continua máxima de 6,4 A - SIHP690N60E-GE3
Características y ventajas:
Aplicaciones
¿Cuál es el rango de tensión de puerta recomendado para accionar este dispositivo?
¿Cómo debe abordarse la gestión térmica al montar?
¿Qué condiciones ambientales son aceptables para el funcionamiento?
¿Hay consideraciones para las pérdidas de conmutación a alta tensión?
Enlaces relacionados
- MOSFET de potencia VDSS 650 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 650 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 650 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 650 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
