MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHP054N65E-GE3, VDSS 650 V, ID 47 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- Código RS:
- 279-9922
- Nº ref. fabric.:
- SIHP054N65E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 unidad)*
8,48 €
(exc. IVA)
10,26 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 996 unidad(es) más para enviar a partir del 08 de junio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 8,48 € |
| 10 - 24 | 8,32 € |
| 25 - 99 | 8,15 € |
| 100 + | 7,98 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 279-9922
- Nº ref. fabric.:
- SIHP054N65E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 47A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | SIHP | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.058Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 108nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 312W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 47A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Serie SIHP | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.058Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 108nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 312W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Vishay es de potencia de la serie E, y el transistor que contiene está fabricado de un material conocido como silicio.
Tecnología de la serie E de 4.ª generación
Bajo factor de mérito (FOM), Ron x Qg
Capacitancia efectiva baja
Calificación energética de avalancha
Reducción de pérdidas de conmutación y conducción
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 400 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines