MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHP054N65E-GE3, VDSS 650 V, ID 47 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines

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Código RS:
279-9922
Nº ref. fabric.:
SIHP054N65E-GE3
Fabricante:
Vishay
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Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

47A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

JEDEC TO-220AB

Serie

SIHP

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.058Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

108nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

312W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

MOSFET serie SIHP de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 650 V, corriente de drenaje continua máxima de 47 A - SIHP054N65E-GE3


Este MOSFET es un transistor de conmutación de canal N de alta tensión diseñado para la conversión y el control de potencia en sistemas electrónicos industriales. Funciona en un amplio rango de temperaturas y se suministra en un encapsulado TO‐220AB de orificio pasante para un montaje robusto y un disipador térmico sencillo en montajes que requieren un manejo de potencia significativo.

Características y ventajas:


• El valor nominal de drenaje de 650 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión • La corriente continua de 47 A admite un funcionamiento de carga pesada • La baja resistencia de conexión de 0,058 Ω reduce las pérdidas por conducción • La disipación de potencia de 312 W permite un manejo térmico sustancial • La carga de puerta típica de 108 nC permite un comportamiento de conmutación predecible • La tolerancia de puerta de 30 V garantiza la compatibilidad con controladores de puerta estándar

Aplicaciones


• Apto para conmutación primaria SMPS en fuentes de alimentación de alta tensión • Ideal para etapas frontales de accionamiento de motores industriales • Se utiliza para circuitos de corrección de factor de potencia en equipos de red • Puede utilizarse para etapas de inversor en sistemas de energía renovable

¿Qué formato de montaje se proporciona para la integración de PCB y chasis?


El dispositivo se suministra en un encapsulado TO-220AB de orificio pasante con tres contactos, lo que permite la fijación de disipador térmico atornillado e instalación de PCB soldada convencional.

¿Cómo funciona el dispositivo en entornos de alta temperatura?


Está especificado para funcionar hasta 150 °C, lo que permite su uso en diseños de temperatura de unión elevada con una gestión térmica adecuada.

¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta debo permitir durante la conmutación?


Con una carga de puerta típica de 108 nC, el tamaño del controlador de puerta debe tener en cuenta la energía de conmutación y la velocidad de transición para gestionar pérdidas de conmutación y EMI.

¿Cuáles son los límites de funcionamiento del dispositivo para una tensión de puerta segura?


La tensión máxima permitida de puerta a fuente es de 30 V, por lo que los circuitos de accionamiento de puerta deben permanecer dentro de este límite para evitar la tensión del dispositivo.

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