MOSFET, N-Canal Vishay SIHP150N60E-GE3, VDSS 650 V, ID 22 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines

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Código RS:
268-8320
Nº ref. fabric.:
SIHP150N60E-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

22A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

SIHP

Encapsulado

JEDEC TO-220AB

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.158Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

36nC

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Disipación de potencia máxima Pd

179W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET serie SIHP de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 650 V, corriente de drenaje continua máxima de 22 A - SIHP150N60E-GE3


Este MOSFET de canal n es un transistor de potencia de alta tensión diseñado para tareas de conmutación y amplificación en sistemas electrónicos exigentes. Funciona de manera fiable en un amplio rango de temperaturas y se suministra en un encapsulado TO-220AB de orificio pasante adecuado para montaje en placa convencional. El dispositivo cumple las directivas RoHS y está diseñado para aplicaciones que requieren un manejo de tensión considerable y una capacidad de corriente moderada.

Características y ventajas:


• El valor nominal de drenaje de 650 V permite su uso en conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 22 A admite un flujo de carga sostenido
• La Rds(on) de 0,158 Ω reduce las pérdidas por conducción en las vías de potencia
• La carga de puerta típica de 36 nC permite perfiles de conmutación predecibles
• La disipación de potencia máxima de 179 W soporta una carga térmica significativa

Aplicaciones


• Adecuado para conmutación primaria SMPS de alta tensión
• Ideal para etapas de inversor de motor industrial
• Se utiliza con fuentes de alimentación en rectificación de telecomunicaciones
• Se puede utilizar para frontales de inversor fotovoltaico

¿Qué límites de tensión de puerta deben observarse durante el diseño del accionamiento?


La puerta no debe accionarse más de ±30 V con respecto a la fuente para evitar la tensión por óxido de puerta y garantizar la fiabilidad a largo plazo.

¿Cómo influye la gestión térmica en el manejo práctico de la potencia?


La potencia nominal de disipación de 179 W requiere un disipador térmico adecuado y una interfaz térmica para mantener la temperatura de unión por debajo de los 150 °C máximos bajo carga continua.

¿Qué rango de temperatura ambiente pueden esperar los sistemas alrededor de este dispositivo?


Está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 150 °C, lo que permite su uso en entornos con frío extremo y condiciones térmicas elevadas cuando se monta correctamente.

¿Cómo afecta el modo de canal del dispositivo al comportamiento del circuito?


Como dispositivo de canal N de modo de mejora, permanece desactivado con polarización de puerta cero y requiere un accionamiento de puerta positivo para conducir, lo que simplifica el control en topologías de lado bajo y lado alto.

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