MOSFET, N-Canal Vishay SIHP150N60E-GE3, VDSS 650 V, ID 22 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines

No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.

Producto Alternativo

Este producto actualmente no se encuentra disponible. Le sugerimos la siguiente alternativa.

unitario (Suministrado en múltiplos de 2)

8,94 €

(exc. IVA)

10,82 €

(inc.IVA)

Código RS:
268-8319
Nº ref. fabric.:
SIHP150N60E-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

22A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

JEDEC TO-220AB

Serie

SIHP

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.158Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

36nC

Disipación de potencia máxima Pd

179W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET serie SIHP de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 650 V, corriente de drenaje continua máxima de 22 A - SIHP150N60E-GE3


Este MOSFET de canal n es un transistor de potencia de alta tensión diseñado para tareas de conmutación y amplificación en sistemas electrónicos exigentes. Funciona de manera fiable en un amplio rango de temperaturas y se suministra en un encapsulado TO-220AB de orificio pasante adecuado para montaje en placa convencional. El dispositivo cumple las directivas RoHS y está diseñado para aplicaciones que requieren un manejo de tensión considerable y una capacidad de corriente moderada.

Características y ventajas:


• El valor nominal de drenaje de 650 V permite su uso en conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 22 A admite un flujo de carga sostenido
• La Rds(on) de 0,158 Ω reduce las pérdidas por conducción en las vías de potencia
• La carga de puerta típica de 36 nC permite perfiles de conmutación predecibles
• La disipación de potencia máxima de 179 W soporta una carga térmica significativa

Aplicaciones


• Adecuado para conmutación primaria SMPS de alta tensión
• Ideal para etapas de inversor de motor industrial
• Se utiliza con fuentes de alimentación en rectificación de telecomunicaciones
• Se puede utilizar para frontales de inversor fotovoltaico

¿Qué límites de tensión de puerta deben observarse durante el diseño del accionamiento?


La puerta no debe accionarse más de ±30 V con respecto a la fuente para evitar la tensión por óxido de puerta y garantizar la fiabilidad a largo plazo.

¿Cómo influye la gestión térmica en el manejo práctico de la potencia?


La potencia nominal de disipación de 179 W requiere un disipador térmico adecuado y una interfaz térmica para mantener la temperatura de unión por debajo de los 150 °C máximos bajo carga continua.

¿Qué rango de temperatura ambiente pueden esperar los sistemas alrededor de este dispositivo?


Está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 150 °C, lo que permite su uso en entornos con frío extremo y condiciones térmicas elevadas cuando se monta correctamente.

¿Cómo afecta el modo de canal del dispositivo al comportamiento del circuito?


Como dispositivo de canal N de modo de mejora, permanece desactivado con polarización de puerta cero y requiere un accionamiento de puerta positivo para conducir, lo que simplifica el control en topologías de lado bajo y lado alto.

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.