MOSFET, N-Canal Vishay SIHP085N60EF-GE3, VDSS 650 V, ID 34 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- Código RS:
- 268-8318
- Nº ref. fabric.:
- SIHP085N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 268-8318
- Nº ref. fabric.:
- SIHP085N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 34A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | SIHP | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.084Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 63nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 184W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 34A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Serie SIHP | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.084Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 63nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 184W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET serie SIHP de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 650 V, corriente de drenaje continua de 34 A - SIHP085N60EF-GE3
Este MOSFET es un transistor de conmutación de canal N de alta tensión diseñado para montaje en orificio pasante en circuitos de potencia exigentes. Funciona en un amplio rango de temperaturas, por lo que es adecuado para entornos donde se requiere robustez térmica, y ofrece una capacidad de corriente continua y un manejo de tensión sustanciales para tareas de conversión y conmutación.
Características y ventajas:
• La potencia nominal de drenaje-fuente de 650 V permite la conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 34 A admite aplicaciones de carga pesada
• El bajo RDS(on) de 0,084 Ω minimiza las pérdidas por conducción
• La disipación de potencia de 184 W permite un funcionamiento de alta potencia
• La carga de puerta típica de 63 nC permite transiciones de conmutación controladas
• La tensión directa de 1.2 V reduce la caída en la conducción del cuerpo-diodo
• La corriente de drenaje continua de 34 A admite aplicaciones de carga pesada
• El bajo RDS(on) de 0,084 Ω minimiza las pérdidas por conducción
• La disipación de potencia de 184 W permite un funcionamiento de alta potencia
• La carga de puerta típica de 63 nC permite transiciones de conmutación controladas
• La tensión directa de 1.2 V reduce la caída en la conducción del cuerpo-diodo
Aplicaciones
• Apto para convertidores e inversores de potencia de alta tensión
• Ideal para fuentes de alimentación de modo conmutado en sistemas industriales
• Se utiliza para etapas de accionamiento de motor que requieren un manejo de alta corriente
• Se puede utilizar para topologías de conmutación dura y recuperación de energía
• Apto para laboratorio y desarrollo de prototipos con montaje en orificio pasante
• Ideal para fuentes de alimentación de modo conmutado en sistemas industriales
• Se utiliza para etapas de accionamiento de motor que requieren un manejo de alta corriente
• Se puede utilizar para topologías de conmutación dura y recuperación de energía
• Apto para laboratorio y desarrollo de prototipos con montaje en orificio pasante
¿Qué método de montaje es necesario para el montaje de la placa?
Se suministra en un encapsulado TO-220AB diseñado para montaje en orificio pasante y opciones de disipación térmica estándar.
¿Qué límites de tensión de accionamiento de puerta debo observar?
La tensión máxima de fuente de puerta es de 30 V, por lo que los circuitos de accionamiento de puerta deben mantenerse dentro de este límite para evitar daños.
¿Cómo resiste temperaturas extremas durante el funcionamiento?
El dispositivo está clasificado para funcionar hasta -55 °C y hasta 150 °C, lo que permite su uso en amplias temperaturas ambiente y de unión elevadas.
¿Qué polaridad y modo presenta el canal para el diseño del circuito?
Se trata de un dispositivo de modo de mejora de canal N que requiere polarización de puerta positiva en relación con la fuente para la conducción.
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