MOSFET, N-Canal Vishay SIHP085N60EF-GE3, VDSS 650 V, ID 34 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- Código RS:
- 268-8317
- Nº ref. fabric.:
- SIHP085N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Producto Alternativo
Este producto actualmente no se encuentra disponible. Le sugerimos la siguiente alternativa.
unitario (Suministrado en múltiplos de 2)
11,77 €
(exc. IVA)
14,24 €
(inc.IVA)
- Código RS:
- 268-8317
- Nº ref. fabric.:
- SIHP085N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 34A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | SIHP | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.084Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 63nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 184W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 34A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie SIHP | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.084Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 63nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 184W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET serie SIHP de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 650 V, corriente de drenaje continua de 34 A - SIHP085N60EF-GE3
Características y ventajas:
• La corriente de drenaje continua de 34 A admite aplicaciones de carga pesada
• El bajo RDS(on) de 0,084 Ω minimiza las pérdidas por conducción
• La disipación de potencia de 184 W permite un funcionamiento de alta potencia
• La carga de puerta típica de 63 nC permite transiciones de conmutación controladas
• La tensión directa de 1.2 V reduce la caída en la conducción del cuerpo-diodo
Aplicaciones
• Ideal para fuentes de alimentación de modo conmutado en sistemas industriales
• Se utiliza para etapas de accionamiento de motor que requieren un manejo de alta corriente
• Se puede utilizar para topologías de conmutación dura y recuperación de energía
• Apto para laboratorio y desarrollo de prototipos con montaje en orificio pasante
¿Qué método de montaje es necesario para el montaje de la placa?
¿Qué límites de tensión de accionamiento de puerta debo observar?
¿Cómo resiste temperaturas extremas durante el funcionamiento?
¿Qué polaridad y modo presenta el canal para el diseño del circuito?
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 650 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 650 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 650 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines

