MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIHK075N65E-T1-GE3, VDSS 650 V, ID 29 A, Mejora, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines

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Código RS:
735-259
Nº ref. fabric.:
SIHK075N65E-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

29A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

PowerPAK 10 x 12

Serie

E Series

Tipo de montaje

Tarjeta

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.065Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

52nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

160W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Longitud

12.88mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
IL

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