MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SiHH080N60E-T1-GE3, VDSS 650 V, ID 32 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines
- Código RS:
- 228-2873
- Nº ref. fabric.:
- SiHH080N60E-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 2 unidades)*
12,50 €
(exc. IVA)
15,12 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 2594 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 6,25 € | 12,50 € |
| 20 - 48 | 5,19 € | 10,38 € |
| 50 - 98 | 4,88 € | 9,76 € |
| 100 - 198 | 4,625 € | 9,25 € |
| 200 + | 3,745 € | 7,49 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 228-2873
- Nº ref. fabric.:
- SiHH080N60E-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 32A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Serie | E | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 70mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 42nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 184W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 32A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Serie E | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 70mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 42nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 184W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 650 V, corriente de drenaje continua máxima de 32 A - SiHH080N60E-T1-GE3
Este MOSFET de potencia es un dispositivo de conmutación de canal N de alta tensión diseñado para tareas de control y conversión de potencia de montaje en superficie. Funciona en una amplia gama de entornos y está diseñado para aplicaciones que requieren un manejo de corriente considerable, una conmutación eficiente y un montaje en PCB compacto. El dispositivo está fabricado para cumplir las normas ambientales RoHS y se suministra en un encapsulado PowerPAK para montaje de perfil bajo.
Características y ventajas:
• La capacidad de drenaje de 650 V permite aplicaciones de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 32 A admite la manipulación de cargas pesadas
• La Rds(on) de 70 mΩ reduce las pérdidas de conducción bajo carga
• La carga de puerta típica de 42 nC permite transiciones de conmutación más rápidas
• La disipación de potencia de 184 W gestiona la energía térmica en funcionamiento
• El límite Vgs de 30 V permite tensiones de accionamiento de puerta estándar
• La corriente de drenaje continua de 32 A admite la manipulación de cargas pesadas
• La Rds(on) de 70 mΩ reduce las pérdidas de conducción bajo carga
• La carga de puerta típica de 42 nC permite transiciones de conmutación más rápidas
• La disipación de potencia de 184 W gestiona la energía térmica en funcionamiento
• El límite Vgs de 30 V permite tensiones de accionamiento de puerta estándar
Aplicaciones
• Apto para fuentes de alimentación de modo conmutado de alta tensión
• Ideal para etapas de inversor de motor industrial
• Se utiliza con circuitos PFC que requieren interruptores robustos
• Puede utilizarse para secciones de inversor de energía renovable
• Apto para conjuntos de alimentación compactos de montaje en superficie
• Ideal para etapas de inversor de motor industrial
• Se utiliza con circuitos PFC que requieren interruptores robustos
• Puede utilizarse para secciones de inversor de energía renovable
• Apto para conjuntos de alimentación compactos de montaje en superficie
¿Qué temperaturas extremas puede tolerar el dispositivo en funcionamiento?
Está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 150 °C, adaptándose a entornos térmicos hostiles y temperaturas de unión elevadas.
¿Cómo ayuda el encapsulado con el montaje de PCB y el comportamiento térmico?
El encapsulado de montaje en superficie PowerPAK ofrece un tamaño de perfil bajo para una colocación automatizada y proporciona una ruta térmica adecuada para la disipación térmica de cobre en la PCB.
¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta se requieren para una conmutación fiable?
Los circuitos de accionamiento deben respetar el valor nominal de fuente de puerta de ±30 V y estar dimensionados para suministrar la carga de puerta típica de 42 nC para la velocidad de conmutación deseada y el control EMI.
¿Es adecuado este dispositivo para sistemas de automoción?
No está definido como un dispositivo estándar de automoción, por lo que los diseñadores deben verificar los requisitos de cualificación antes de utilizarlo en programas de automoción certificados.
Enlaces relacionados
- MOSFET de potencia VDSS 650 V Mejora, PowerPAK de 4 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PowerPAK SO-8 de 4 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PowerPAK 8 x 8 de 4 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines
- MOSFET de potencia VDSS 650 V Reducción, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines
- MOSFET de potencia VDSS 650 V Reducción, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines
- MOSFET de potencia VDSS 650 V Reducción, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines