MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIHK125N60E-T1-GE3, VDSS 650 V, ID 21 A, Reducción, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines
- Código RS:
- 239-8638
- Nº ref. fabric.:
- SIHK125N60E-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 5,425 € | 10,85 € |
| 20 - 48 | 5,10 € | 10,20 € |
| 50 - 98 | 4,61 € | 9,22 € |
| 100 - 198 | 4,345 € | 8,69 € |
| 200 + | 4,07 € | 8,14 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 239-8638
- Nº ref. fabric.:
- SIHK125N60E-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 21A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | PowerPAK 10 x 12 | |
| Serie | E | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.109Ω | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 132W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 54nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 21A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado PowerPAK 10 x 12 | ||
Serie E | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.109Ω | ||
Modo de canal Reducción | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 132W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 54nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 650 V, corriente de drenaje continua de 21 A - SIHK125N60E-T1-GE3
Características y ventajas:
Aplicaciones
¿Qué rango de temperaturas de funcionamiento puedo esperar para mayor fiabilidad?
¿Cómo influye el encapsulado en el rendimiento térmico de una PCB?
¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta debo permitir para la conmutación?
¿Hay estándares industriales aplicables a este componente?
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