MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHK125N60E-T1-GE3, VDSS 650 V, ID 21 A, Reducción, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines

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Código RS:
239-8638
Nº ref. fabric.:
SIHK125N60E-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

21A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

PowerPAK 10 x 12

Serie

E

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.11Ω

Modo de canal

Reducción

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

132W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

54nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

125°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

La serie E de Vishay es un MOSFET de potencia con diodo de cuerpo rápido. Este MOSFET se utiliza para fuentes de alimentación de servidor y telecomunicaciones, soldaduras y controladores de motor.

Tecnología de la serie E de 4ª generación

Capacitancia efectiva baja

Pérdidas de conducción y conmutación bajas

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