MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHK185N60E-T1-GE3, VDSS 650 V, ID 19 A, Reducción, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines

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Código RS:
252-0268
Nº ref. fabric.:
SIHK185N60E-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

19A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

PowerPAK 10 x 12

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.05mΩ

Modo de canal

Reducción

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

54nC

Disipación de potencia máxima Pd

132W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

5.15 mm

Longitud

6.15mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

La línea de productos de MOSFET Vishay Siliconix incluye una amplia gama de tecnologías avanzadas. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El efecto de campo significa que están controlados por tensión.

Tecnología de la serie E de 4.ª generación

Bajo valor de mérito (FOM), Ron x Qg

Capacitancia efectiva baja (Co(er))

Reducción de pérdidas de conmutación y conducción

Clasificación de energía de avalancha (UIS)

Conexión Kelvin para reducir el ruido de la puerta

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