MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIHH075N65E-T1-GE3, VDSS 650 V, ID 29 A, Mejora, PowerPAK 8 x 8 de 4 pines
- Código RS:
- 735-258
- Nº ref. fabric.:
- SIHH075N65E-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 unidad)*
8,29 €
(exc. IVA)
10,03 €
(inc.IVA)
Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 8,29 € |
| 10 - 49 | 5,14 € |
| 50 - 99 | 3,98 € |
| 100 + | 2,69 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 735-258
- Nº ref. fabric.:
- SIHH075N65E-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 29A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | PowerPAK 8 x 8 | |
| Serie | E Series | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.08Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 160W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 52nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 8.1mm | |
| Altura | 1.05mm | |
| Anchura | 8.1 mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 29A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado PowerPAK 8 x 8 | ||
Serie E Series | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.08Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 160W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 52nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 8.1mm | ||
Altura 1.05mm | ||
Anchura 8.1 mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- IL
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines
- MOSFET VDSS 600 V PowerPAK 10 x 12 de 8 pines
- MOSFET VDSS 650 V Reducción, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines
- MOSFET VDSS 650 V Reducción, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines
- MOSFET VDSS 650 V Reducción, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines
- MOSFET VDSS 650 V Reducción, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PowerPAK de 4 pines