MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIHH075N65E-T1-GE3, VDSS 650 V, ID 29 A, Mejora, PowerPAK 8 x 8 de 4 pines

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Código RS:
735-258
Nº ref. fabric.:
SIHH075N65E-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

29A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

E Series

Encapsulado

PowerPAK 8 x 8

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.08Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

52nC

Disipación de potencia máxima Pd

160W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Longitud

8.1mm

Altura

1.05mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
IL

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