MOSFET Vishay SIHK065N60E-T1-GE3, VDSS 650 V, ID 34 A, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines

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Código RS:
239-5378
Nº ref. fabric.:
SIHK065N60E-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

34 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

PowerPAK 10 x 12

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Número de Elementos por Chip

1

El MOSFET de potencia de la serie E de Vishay tiene una corriente de drenaje de 34 A. Se utiliza para fuentes de alimentación de servidor y telecomunicaciones, fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS), fuentes de alimentación de corrección de factor de potencia (PFC)

Tecnología de la serie E de 4a generación
Bajo valor de mérito (FOM), Ron x Qg
Capacitancia efectiva baja (Co(er))
Reducción de pérdidas de conmutación y conducción
Clasificación de energía de avalancha (UIS)

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