MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHK105N60E-T1-GE3, VDSS 650 V, ID 24 A, Mejora, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 2000 unidades)*

5.282,00 €

(exc. IVA)

6.392,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 2000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
2000 +2,641 €5.282,00 €

*precio indicativo

Código RS:
268-8310
Nº ref. fabric.:
SIHK105N60E-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

24A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

PowerPAK 10 x 12

Serie

SIHK

Tipo de montaje

Montaje en PCB

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.1Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

53nC

Disipación de potencia máxima Pd

132W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

9.9mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de Vishay con tecnología de la serie E de 4a generación reduce las pérdidas de conmutación y conducción y se utiliza en aplicaciones como fuentes de alimentación de modo conmutado, fuentes de alimentación de servidor y fuentes de alimentación de corrección de factor de potencia.

Baja capacitancia efectiva

Energía nominal de avalancha

Baja cifra de mérito

Enlaces relacionados