MOSFET, N-Canal Vishay SIHK105N60E-T1-GE3, VDSS 650 V, ID 24 A, Mejora, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines
- Código RS:
- 268-8311
- Nº ref. fabric.:
- SIHK105N60E-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 268-8311
- Nº ref. fabric.:
- SIHK105N60E-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 24A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | SIHK | |
| Encapsulado | PowerPAK 10 x 12 | |
| Tipo de montaje | Montaje en PCB | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.1Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 132W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 53nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 9.9mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 24A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie SIHK | ||
Encapsulado PowerPAK 10 x 12 | ||
Tipo de montaje Montaje en PCB | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.1Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 132W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 53nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 9.9mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET serie SIHK de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 650 V, corriente de drenaje continua máxima de 24 A - SIHK105N60E-T1-GE3
Este MOSFET es un transistor de canal N de alta tensión diseñado para la conmutación de potencia en placas de circuito impreso. Funciona en un amplio rango de temperaturas para entornos industriales y es adecuado para aplicaciones que requieren un manejo de potencia significativo y una elevada resistencia a la tensión de drenaje-fuente. El dispositivo está montado en un encapsulado PowerPAK de perfil bajo para facilitar la gestión térmica en conjuntos de PCB.
Características y ventajas:
• La potencia nominal de drenaje-fuente de 650 V permite la conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 24 A admite corrientes de carga pesada
• La baja Rds(on) de 0.1 Ω reduce las pérdidas por conducción
• La disipación máxima de 132 W mejora el espacio térmico
• La carga de puerta típica de 53 nC equilibra la velocidad de conmutación y el esfuerzo de accionamiento
• El límite de puerta Vgs de 30 V permite rangos de accionamiento de puerta robustos
• La corriente de drenaje continua de 24 A admite corrientes de carga pesada
• La baja Rds(on) de 0.1 Ω reduce las pérdidas por conducción
• La disipación máxima de 132 W mejora el espacio térmico
• La carga de puerta típica de 53 nC equilibra la velocidad de conmutación y el esfuerzo de accionamiento
• El límite de puerta Vgs de 30 V permite rangos de accionamiento de puerta robustos
Aplicaciones
• Apto para fuentes de alimentación industriales de alta tensión
• Ideal para etapas de conversión de potencia en modo conmutado
• Se utiliza con inversores de accionamiento de motor que requieren alta tensión
• Puede utilizarse para circuitos de corrección del factor de potencia
• Apto para electrónica de interfaz de servicios públicos y energías renovables
• Ideal para etapas de conversión de potencia en modo conmutado
• Se utiliza con inversores de accionamiento de motor que requieren alta tensión
• Puede utilizarse para circuitos de corrección del factor de potencia
• Apto para electrónica de interfaz de servicios públicos y energías renovables
¿En qué intervalo de temperatura puede funcionar con fiabilidad?
El dispositivo está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 150 °C, lo que permite su uso en entornos térmicos exigentes.
¿Qué consideraciones de embalaje y montaje se aplican al rendimiento térmico?
Se suministra en un encapsulado PowerPAK 10x12 diseñado para montaje en PCB, lo que ayuda a la disipación térmica cuando se combina con planos de cobre adecuados y vias térmicas.
¿Cómo afecta la carga de la puerta a la selección del controlador?
Con una carga de puerta total típica de 53 nC, los controladores deben suministrar corriente suficiente para las velocidades de conmutación deseadas al tiempo que gestionan las pérdidas de accionamiento de puerta.
¿Cuál es la tensión de fuente de puerta máxima admisible?
El Vgs máximo es de 30 V, por lo que los circuitos de accionamiento de puerta deben diseñarse para permanecer dentro de ese límite para evitar la tensión del dispositivo.
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