MOSFET, N-Canal Vishay SIHK135N65S-T1-GE3, VDSS 650 V, ID 28 A, N, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines

Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidad

Subtotal (1 tira de 1 unidad)*

1,69 €

(exc. IVA)

2,04 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 01 de febrero de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Tira(s)
Por Tira
1 - 91,69 €
10 - 991,14 €
100 - 4990,96 €
500 - 9990,92 €
1000 +0,89 €

*precio indicativo

Código RS:
878-898
Nº ref. fabric.:
SIHK135N65S-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

28A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

PowerPAK 10 x 12

Serie

S

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.121Ω

Modo de canal

N

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.4V

Disipación de potencia máxima Pd

278W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

51nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de Vishay está diseñado para gestionar la conmutación y la conducción de manera eficiente, lo que lo convierte en un componente esencial para diversas aplicaciones de alimentación.

Tecnología de última generación de la serie SF, que garantiza un rendimiento óptimo

Figura de mérito baja (FOM) para mejorar la eficiencia energética

Clasificación de energía de avalancha, lo que ofrece una mayor fiabilidad bajo tensión

Capacidad de energía de avalancha de un pulso, para aplicaciones exigentes

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.