MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIHK075N60E-T1-GE3, VDSS 600 V, ID 29 A, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines

Código RS:: 239-5381
Nº ref. fabric.:: SIHK075N60E-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIHK075N60E-T1-GE3, VDSS 600 V, ID 29 A, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines

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Código RS:: 239-5381
Nº ref. fabric.:: SIHK075N60E-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	N
	Tipo de producto	MOSFET de potencia
	Corriente continua máxima de drenaje ld	29A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	600V
	Encapsulado	PowerPAK 10 x 12
	Serie	E
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.08Ω
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	41nC
	Disipación de potencia máxima Pd	167W
	Tensión directa Vf	1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	30V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de canal N
	Tipo de producto MOSFET de potencia
	Corriente continua máxima de drenaje ld 29A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V
	Encapsulado PowerPAK 10 x 12
	Serie E
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.08Ω
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 41nC
	Disipación de potencia máxima Pd 167W
	Tensión directa Vf 1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares RoHS
	Estándar de automoción No

Datasheet - SIHK075N60E-T1-GE3

MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 600 V, corriente de drenaje continua de 29 A - SIHK075N60E-T1-GE3

Este MOSFET de potencia es un dispositivo semiconductor de canal N de alta tensión diseñado para conmutación y conversión de potencia en sistemas electrónicos exigentes. Es adecuado para aplicaciones de montaje en superficie en las que se requiere un encapsulado compacto y un rendimiento térmico robusto, y cumple las restricciones ambientales de la directiva RoHS.

Características y ventajas:

• La clasificación de 600 V permite una capacidad de conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 29 A admite corrientes de carga sustanciales
• La Rds(on) de 0,08 Ω proporciona bajas pérdidas por conducción
• La disipación de potencia de 167 W permite un manejo térmico eficaz
• La carga de puerta típica de 41 nC permite una dinámica de conmutación controlada
• La tolerancia de puerta de 30 V proporciona un amplio margen de accionamiento de puerta

Aplicaciones

• Adecuado para inversores de accionamiento de motor industriales
• Se utiliza con fuentes de alimentación para equipos de servidores y telecomunicaciones
• Ideal para convertidores CC-CC en sistemas de energías renovables
• Puede utilizarse para controladores de interruptores de alta tensión en instrumentación
• Apto para controladores de iluminación LED que requieren interruptores de alta tensión

¿Qué método de montaje es necesario para una conexión eléctrica fiable?

Se suministra en un encapsulado PowerPAK 10x12 de perfil bajo diseñado para montaje en superficie en una PCB mediante almohadillas de soldadura para contacto mecánico y térmico.

¿Cuál es el amplio rango de temperatura de funcionamiento para entornos hostiles?

El dispositivo está diseñado para funcionar a temperaturas de –55 a 150 °C, lo que permite su uso en condiciones ambientales extremas y de unión elevada.

¿Qué consideraciones sobre accionamiento de puerta deben observarse?

La tensión máxima de fuente de puerta es de 30 V, por lo que los circuitos de accionamiento de puerta deben limitar Vgs dentro de este límite y proporcionar una accionamiento suficiente para lograr la carga de puerta especificada de alrededor de 41 nC.

¿Cómo admite el encapsulado la disipación térmica?

El formato PowerPAK 10x12 ofrece una ruta térmica a través del encapsulado a la PCB, lo que ayuda al dispositivo a gestionar hasta 167 W de disipación bajo un diseño térmico de placa adecuado.