MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SIHM080N60E-T1-GE3, VDSS 600 V, ID 51 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines

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Código RS:
653-177
Nº ref. fabric.:
SIHM080N60E-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

51A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

SIHM080N60E

Encapsulado

PowerPAK

Tipo de montaje

Montaje en PCB

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.084Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

42nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

500W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

7.9 mm

Longitud

8mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia Vishay es un MOSFET de la serie E de 4a generación diseñado para conmutación de alta eficiencia en aplicaciones exigentes. Dispone de una baja cifra de mérito (FOM), capacidad efectiva reducida y rendimiento térmico optimizado. Envasado en PowerPAK 8x8L, es ideal para servidores, telecomunicaciones, SMPS y fuentes de alimentación de corrección de factor de potencia.

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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