MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIHM080N60E-T1-GE3, VDSS 600 V, ID 51 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines

Código RS:: 653-177
Nº ref. fabric.:: SIHM080N60E-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIHM080N60E-T1-GE3, VDSS 600 V, ID 51 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

10.296,00 €

(exc. IVA)

12.459,00 €

(inc.IVA)

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Unidad(es)	Por unidad	Por Bobina*
3000 +	3,432 €	10.296,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 653-177
Nº ref. fabric.:: SIHM080N60E-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Tipo de producto	MOSFET de potencia
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	51A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	600V
	Serie	E
	Encapsulado	PowerPAK
	Tipo de montaje	Montaje en PCB
	Número de pines	4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.084Ω
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	500W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	42nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	30V
	Tensión directa Vf	1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Anchura	7.9mm
	Longitud	8mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Tipo de producto MOSFET de potencia
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 51A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V
	Serie E
	Encapsulado PowerPAK
	Tipo de montaje Montaje en PCB
	Número de pines 4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.084Ω
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 500W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 42nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V
	Tensión directa Vf 1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares RoHS
	Anchura 7.9mm
	Longitud 8mm
	Estándar de automoción No

Datasheet - SIHM080N60E-T1-GE3

COO (País de Origen):: CN

MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 600 V, corriente de drenaje de 51 A - SIHM080N60E-T1-GE3

Este MOSFET de potencia es un dispositivo de conmutación de alta tensión diseñado para aplicaciones de conversión de potencia y control en electrónica industrial. Funciona como un transistor de canal N de modo de mejora diseñado para manejar altas tensiones de drenaje a fuente al funcionar en conjuntos montados en PCB. Su estructura se adapta a entornos térmicos exigentes y procesos de fabricación estándar.

Características y ventajas:

• Valor nominal de 600 V para aplicaciones de conmutación de alta tensión • Corriente de drenaje continua de 51 A para una manipulación de carga sustancial • 0,084 Ω Rds(on) para reducir las pérdidas por conducción • Carga de puerta típica de 42 nC para un tamaño de accionamiento de puerta predecible • Disipación de potencia de 500 W para una mayor capacidad de manejo de potencia • Temperatura de funcionamiento máxima de 150 °C para una tolerancia a altas temperaturas

Aplicaciones

• Apto para fuentes de alimentación de modo conmutado en automatización industrial • Ideal para etapas de inversor de accionamiento de motor en equipos de fabricación • Se utiliza para convertidores dc-dc de alta tensión en distribución de energía • Se puede utilizar para topologías de conmutación dura en plataformas de prueba • Apto para circuitos intermedios en inversores de energía renovable

¿Qué estilo de montaje se requiere para la implementación del circuito?

Está diseñado para montaje en PCB utilizando un encapsulado PowerPAK con cuatro contactos para facilitar la conexión térmica y eléctrica.

¿Cómo se deben seleccionar las tensiones de accionamiento de puerta?

La amplitud de la unidad de puerta no debe exceder el límite de fuente de puerta de ±30 V y debe elegirse para equilibrar la velocidad de conmutación con la carga de puerta de 42 nC para controlar las pérdidas.

¿En qué intervalo de temperatura ambiente puede funcionar?

El dispositivo admite funcionamiento hasta -55 °C y hasta 150 °C de temperatura de unión, lo que permite su uso en amplias condiciones ambientales.

¿Cómo ayuda el encapsulado a la gestión térmica?

El factor de forma PowerPAK proporciona una ruta térmica compacta a la PCB, lo que ayuda a disipar hasta los 500 W especificados con estrategias de refrigeración de nivel de placa adecuadas.