MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay SIR4411DP-T1-GE3, VDSS -40 V, ID -48.3 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

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Código RS:
653-192
Nº ref. fabric.:
SIR4411DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

-48.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-40V

Serie

SIR4411DP

Encapsulado

PowerPAK

Tipo de montaje

Montaje en PCB

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.011Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

56.8W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

36.5nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.61mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.25 mm

Longitud

5.15mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de canal P de Vishay TrenchFET Gen IV tiene un valor nominal de tensión de fuente de drenaje de 40 V. Dispone de un bajo RDS(on) y un rendimiento de conmutación rápido, lo que lo convierte en adecuado para la gestión de potencia de alta eficiencia. Envasado en un PowerPAK SO-8 compacto, es ideal para convertidores dc/dc, conmutación de carga y gestión de batería en diseños con poco espacio.

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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