MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay SIR4411DP-T1-GE3, VDSS -40 V, ID -48.3 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

1.701,00 €

(exc. IVA)

2.058,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
3000 +0,567 €1.701,00 €

*precio indicativo

Código RS:
653-192
Nº ref. fabric.:
SIR4411DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

-48.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-40V

Encapsulado

PowerPAK

Serie

SIR4411DP

Tipo de montaje

Montaje en PCB

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.011Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

36.5nC

Disipación de potencia máxima Pd

56.8W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.61mm

Anchura

6.25 mm

Longitud

5.15mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de canal P de Vishay TrenchFET Gen IV tiene un valor nominal de tensión de fuente de drenaje de 40 V. Dispone de un bajo RDS(on) y un rendimiento de conmutación rápido, lo que lo convierte en adecuado para la gestión de potencia de alta eficiencia. Envasado en un PowerPAK SO-8 compacto, es ideal para convertidores dc/dc, conmutación de carga y gestión de batería en diseños con poco espacio.

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

Enlaces relacionados