MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SIR4406DP-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 78 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

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Código RS:
653-107
Nº ref. fabric.:
SIR4406DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

78A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

SIR4406DP

Encapsulado

PowerPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00475Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

41.6W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10.9nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.04mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.15mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para conmutación de alta eficiencia en sistemas de alimentación compactos. Admite hasta 40 V de tensión de fuente de drenaje. Envasado en PowerPAK SO-8, utiliza la tecnología TrenchFET Gen IV para proporcionar una carga de puerta baja (Qg), características de conmutación optimizadas y un excelente rendimiento térmico.

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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