MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SIS4406DN-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 62.8 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

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Código RS:
653-146
Nº ref. fabric.:
SIS4406DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

62.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

SIS4406DN

Encapsulado

PowerPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00475Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

33.7W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

23.7nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.30mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

3.30 mm

Altura

0.41mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para conmutación de alta eficiencia en sistemas de alimentación compactos. Admite hasta 40 V de tensión de fuente de drenaje. Envasado en PowerPAK 1212-8, utiliza la tecnología TrenchFET Gen IV para proporcionar una carga de puerta baja (Qg), una carga de salida reducida (Qoss) y un rendimiento de conmutación optimizado.

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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