MOSFET sencillos, N-Canal Vishay SIS4406DN-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 62.8 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

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Código RS:
653-146
Nº ref. fabric.:
SIS4406DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

62.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

PowerPAK

Serie

SIS4406DN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00475Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.1V

Disipación de potencia máxima Pd

33.7W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

23.7nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

410μm

Longitud

3.3mm

Anchura

3.3mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para conmutación de alta eficiencia en sistemas de alimentación compactos. Admite hasta 40 V de tensión de fuente de drenaje. Envasado en PowerPAK 1212-8, utiliza la tecnología TrenchFET Gen IV para proporcionar una carga de puerta baja (Qg), una carga de salida reducida (Qoss) y un rendimiento de conmutación optimizado.

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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