MOSFET sencillos, N-Canal Vishay SIS5712DN-T1-GE3, VDSS 150 V, ID 18 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- Código RS:
- 653-112
- Nº ref. fabric.:
- SIS5712DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 653-112
- Nº ref. fabric.:
- SIS5712DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 18A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Serie | SIS5712DN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0555Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 39.1W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 5.8nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 3.3mm | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Certificaciones y estándares | Lead (Pb)-Free | |
| Altura | 1.04mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 18A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Serie SIS5712DN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0555Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 39.1W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5.8nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 3.3mm | ||
Longitud 3.3mm | ||
Certificaciones y estándares Lead (Pb)-Free | ||
Altura 1.04mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para conmutación de alta eficiencia en sistemas de alta densidad de potencia. Admite hasta 150 V de tensión de fuente de drenaje. Envasado en PowerPAK 1212-8, utiliza la tecnología TrenchFET Gen V para proporcionar un bajo RDS(on), una carga de puerta reducida y un excelente rendimiento térmico.
Sin Pb
Sin halógenos
Cumplimiento de RoHS
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