MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 150 V, ID 18 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- Código RS:
- 653-113
- Nº ref. fabric.:
- SIS5712DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 tira de 1 unidad)*
1,19 €
(exc. IVA)
1,44 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 6000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Tira(s) | Por Tira |
|---|---|
| 1 - 24 | 1,19 € |
| 25 - 99 | 1,15 € |
| 100 - 499 | 1,14 € |
| 500 - 999 | 0,97 € |
| 1000 + | 0,91 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 653-113
- Nº ref. fabric.:
- SIS5712DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 18A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Serie | SIS5712DN | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0555Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 5.8nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 39.1W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | Lead (Pb)-Free | |
| Anchura | 3.30mm | |
| Altura | 1.04mm | |
| Longitud | 3.30mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 18A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Serie SIS5712DN | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0555Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5.8nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 39.1W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares Lead (Pb)-Free | ||
Anchura 3.30mm | ||
Altura 1.04mm | ||
Longitud 3.30mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para conmutación de alta eficiencia en sistemas de alta densidad de potencia. Admite hasta 150 V de tensión de fuente de drenaje. Envasado en PowerPAK 1212-8, utiliza la tecnología TrenchFET Gen V para proporcionar un bajo RDS(on), una carga de puerta reducida y un excelente rendimiento térmico.
Sin Pb
Sin halógenos
Cumplimiento de RoHS
Enlaces relacionados
- MOSFET sencillos VDSS 150 V Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 150 V Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 150 V Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 40 V Mejora, PowerPAK de 4 pines
- MOSFET sencillos VDSS 30 V Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 40 V Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS -40 V Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 100 V Mejora, PowerPAK de 7 pines