MOSFET sencillos, N-Canal Vishay, VDSS 150 V, ID 18 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

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Código RS:
653-113
Nº ref. fabric.:
SIS5712DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

18A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Encapsulado

PowerPAK

Serie

SIS5712DN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0555Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

39.1W

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.8nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

Lead (Pb)-Free

Longitud

3.3mm

Altura

1.04mm

Anchura

3.3mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para conmutación de alta eficiencia en sistemas de alta densidad de potencia. Admite hasta 150 V de tensión de fuente de drenaje. Envasado en PowerPAK 1212-8, utiliza la tecnología TrenchFET Gen V para proporcionar un bajo RDS(on), una carga de puerta reducida y un excelente rendimiento térmico.

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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