MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 150 V, ID 18 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

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Código RS:
653-111
Nº ref. fabric.:
SIR5712DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

18A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Serie

SIR5712DP

Encapsulado

PowerPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0555Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

40W

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.8nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.04mm

Anchura

5.15mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.15mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para conmutación de alta eficiencia en sistemas de alta densidad de potencia. Admite hasta 150 V de tensión de fuente de drenaje. Envasado en PowerPAK SO-8, utiliza la tecnología TrenchFET Gen V para proporcionar un bajo RDS(on), una carga de puerta reducida y un excelente rendimiento térmico.

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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