MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 150 V, ID 18 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 tira de 1 unidad)*

0,73 €

(exc. IVA)

0,88 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 6000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Tira(s)
Por Tira
1 - 240,73 €
25 - 990,71 €
100 - 4990,70 €
500 - 9990,59 €
1000 +0,55 €

*precio indicativo

Código RS:
653-111
Nº ref. fabric.:
SIR5712DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

18A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Encapsulado

PowerPAK

Serie

SIR5712DP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0555Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.8nC

Disipación de potencia máxima Pd

40W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

5.15 mm

Longitud

6.15mm

Altura

1.04mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para conmutación de alta eficiencia en sistemas de alta densidad de potencia. Admite hasta 150 V de tensión de fuente de drenaje. Envasado en PowerPAK SO-8, utiliza la tecnología TrenchFET Gen V para proporcionar un bajo RDS(on), una carga de puerta reducida y un excelente rendimiento térmico.

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

Enlaces relacionados