MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SIR5712DP-T1-GE3, VDSS 150 V, ID 18 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

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Código RS:
653-110
Nº ref. fabric.:
SIR5712DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

18A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Encapsulado

PowerPAK

Serie

SIR5712DP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0555Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.8nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

40W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.04mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.15 mm

Longitud

6.15mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para conmutación de alta eficiencia en sistemas de alta densidad de potencia. Admite hasta 150 V de tensión de fuente de drenaje. Envasado en PowerPAK SO-8, utiliza la tecnología TrenchFET Gen V para proporcionar un bajo RDS(on), una carga de puerta reducida y un excelente rendimiento térmico.

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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