MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SIHR100N60E-T1-GE3, VDSS 600 V, ID 38 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

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Código RS:
653-079
Nº ref. fabric.:
SIHR100N60E-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

38A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

E

Encapsulado

PowerPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.105Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

34nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Disipación de potencia máxima Pd

347W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

8 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de la serie E de 4a generación de Vishay está diseñado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia. Dispone de una baja cifra de mérito (FOM), capacidad efectiva reducida y rendimiento térmico optimizado en un encapsulado compacto PowerPAK 8x8LR. Ideal para usar en servidores, telecomunicaciones y fuentes de alimentación de corrección de factor de potencia, proporciona un rendimiento fiable en entornos exigentes.

Pérdidas de conmutación y conducción reducidas

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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