MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIHR100N60E-T1-GE3, VDSS 600 V, ID 38 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

Código RS:: 653-079
Nº ref. fabric.:: SIHR100N60E-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIHR100N60E-T1-GE3, VDSS 600 V, ID 38 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

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Código RS:: 653-079
Nº ref. fabric.:: SIHR100N60E-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET de potencia
	Corriente continua máxima de drenaje ld	38A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	600V
	Encapsulado	PowerPAK
	Serie	E
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.105Ω
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	34nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	347W
	Tensión directa Vf	1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	30V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Anchura	8mm
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Longitud	10.42mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET de potencia
	Corriente continua máxima de drenaje ld 38A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V
	Encapsulado PowerPAK
	Serie E
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.105Ω
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 34nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 347W
	Tensión directa Vf 1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Anchura 8mm
	Certificaciones y estándares RoHS
	Longitud 10.42mm
	Estándar de automoción No

Datasheet - SIHR100N60E-T1-GE3

COO (País de Origen):: CN

MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 600 V, corriente de drenaje continua máxima de 38 A - SIHR100N60E-T1-GE3

Este MOSFET de potencia es un dispositivo de mejora de canal N de alta tensión diseñado para tareas de conmutación y control en electrónica industrial. Funciona como un transistor de montaje en superficie adecuado para entornos de conversión de potencia y conmutación de alta tensión, ofreciendo un equilibrio de manejo de tensión y resistencia térmica para usar en conjuntos exigentes.

Características y ventajas:

• La potencia nominal de drenaje-fuente de 600 V permite una capacidad de conmutación de alta tensión • La corriente de drenaje continua de 38 A admite corrientes de carga sustanciales • La Rds(on) de 0,105 Ω minimiza las pérdidas de conducción durante el funcionamiento • La disipación de potencia de 347 W permite una carga térmica sostenida • La carga de puerta típica de 34 nC permite un control eficiente de la unidad de puerta • El rango de funcionamiento de -55 °C a 150 °C admite el funcionamiento a temperaturas extremas

Aplicaciones

• Apto para convertidores de potencia de alta tensión en automatización industrial • Ideal para frontales de accionamiento de motor que requieren una conmutación robusta • Se utiliza para fuentes de alimentación de modo conmutado que manejan tensiones elevadas • Se puede utilizar para etapas de corrección de factor de potencia en sistemas eléctricos • Se utiliza con controladores de puerta en diseños de inversores de alta tensión

¿Qué estilo de montaje requiere para el montaje?

Está diseñado para montaje en superficie en un encapsulado PowerPAK, lo que requiere perfiles de reflujo SMT estándar y una plantilla de cobre adecuada para la disipación de calor.

¿Cómo afecta la tensión de accionamiento de puerta a la conmutación?

El dispositivo tolera hasta 30 V en la puerta en relación con la fuente

el uso de tensiones de puerta recomendadas optimiza la velocidad de encendido al tiempo que evita la sobretensión de puerta.

¿Qué consideraciones térmicas se necesitan para aplicaciones de alta potencia?

Dado el valor nominal de disipación de potencia de 347 W, es necesario un área de cobre de PCB adecuada y vias térmicas para transferir el calor fuera del encapsulado para mantener las temperaturas de unión por debajo de los límites máximos.

¿Es este dispositivo adecuado para diseños de automoción?

No está especificado como de grado automovilístico, por lo que la idoneidad depende de los requisitos de nivel de sistema y cualquier calificación adicional necesaria por el diseñador.