MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SISS5208DN-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 172 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

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Código RS:
653-148
Nº ref. fabric.:
SISS5208DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

172A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

SISS5208DN

Encapsulado

PowerPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0013Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

7 V

Disipación de potencia máxima Pd

56.8W

Tensión directa Vf

1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

24.6nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.83mm

Anchura

3.40 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3.40mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para conmutación de alta eficiencia en sistemas de alimentación compactos. Admite hasta 20 V de tensión de fuente de drenaje. Envasado en PowerPAK 1212-8S, utiliza la tecnología TrenchFET Gen V para proporcionar un RDS(on) ultrabajo, conmutación rápida y un excelente rendimiento térmico.

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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