MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SIR4156LDP-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 25.7 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

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Código RS:
653-190
Nº ref. fabric.:
SIR4156LDP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

25.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

SIR4156LDP

Encapsulado

PowerPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.033Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.8nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

43W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

5.15 mm

Altura

1.72mm

Longitud

6.15mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para conmutación de alta eficiencia en sistemas de alimentación compactos. Admite hasta 100 V de tensión de fuente de drenaje. Envasado en PowerPAK SO-8, utiliza la tecnología TrenchFET Gen IV para proporcionar un bajo RDS(on), conmutación rápida y rendimiento térmico optimizado.

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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