MOSFET sencillos, N-Canal Vishay SIR4156LDP-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 25.7 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- Código RS:
- 653-190
- Nº ref. fabric.:
- SIR4156LDP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
1.362,00 €
(exc. IVA)
1.647,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Últimas existencias de RS
- Última(s) 6000 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,454 € | 1.362,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 653-190
- Nº ref. fabric.:
- SIR4156LDP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 25.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | SIR4156LDP | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.033Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8.8nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 43W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 6.15mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 5.15mm | |
| Altura | 1.72mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 25.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie SIR4156LDP | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.033Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8.8nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 43W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 6.15mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 5.15mm | ||
Altura 1.72mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para conmutación de alta eficiencia en sistemas de alimentación compactos. Admite hasta 100 V de tensión de fuente de drenaje. Envasado en PowerPAK SO-8, utiliza la tecnología TrenchFET Gen IV para proporcionar un bajo RDS(on), conmutación rápida y rendimiento térmico optimizado.
Sin Pb
Sin halógenos
Cumplimiento de RoHS
Enlaces relacionados
- MOSFET sencillos VDSS 100 V Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 80 V Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 150 V Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 150 V Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS -40 V Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 30 V Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 100 V Mejora, PowerPAK de 7 pines
- MOSFET sencillos VDSS 100 V Mejora, PowerPAK de 8 pines