MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SI2122DS-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 2.17 A, Mejora, PowerPAK de 3 pines

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Código RS:
653-085
Nº ref. fabric.:
SI2122DS-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.17A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

PowerPAK

Serie

SI2122DS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.160Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

1.6W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

2.9nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para conmutación compacta y de alta eficiencia en aplicaciones de baja potencia. Admite hasta 100 V de tensión de fuente de drenaje. Envasado en un formato SOT-23, utiliza la tecnología TrenchFET Gen IV para un bajo RDS(on), conmutación rápida y un rendimiento térmico eficiente en diseños de espacio limitado.

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

Se utiliza en retroiluminación de LED

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