MOSFET sencillos, N-Canal Vishay, VDSS 100 V, ID 2.17 A, Mejora, PowerPAK de 3 pines
- Código RS:
- 653-087
- Nº ref. fabric.:
- SI2122DS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Consigue un descuento por cantidad
Añade 25 más para ahorrar un 10%
Ver precios por cantidadSubtotal (1 tira de 1 unidad)*
0,28 €
(exc. IVA)
0,34 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 5902 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Tira(s) | Por Tira | Ahorro |
|---|---|---|
| 1 - 24 | 0,28 € | - |
| 25 - 99 | 0,25 € | 10% |
| 100 - 499 | 0,22 € | 21% |
| 500 - 999 | 0,19 € | 32% |
| 1000 + | 0,17 € | 39% |
*precio indicativo
- Código RS:
- 653-087
- Nº ref. fabric.:
- SI2122DS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.17A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Serie | SI2122DS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.160Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.6W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 2.9nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.17A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Serie SI2122DS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.160Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.6W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.9nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para conmutación compacta y de alta eficiencia en aplicaciones de baja potencia. Admite hasta 100 V de tensión de fuente de drenaje. Envasado en un formato SOT-23, utiliza la tecnología TrenchFET Gen IV para un bajo RDS(on), conmutación rápida y un rendimiento térmico eficiente en diseños de espacio limitado.
Sin Pb
Sin halógenos
Cumplimiento de RoHS
Se utiliza en retroiluminación de LED
Enlaces relacionados
- MOSFET sencillos VDSS 100 V Mejora, PowerPAK de 3 pines
- MOSFET sencillos VDSS 100 V Mejora, PowerPAK de 7 pines
- MOSFET sencillos VDSS 40 V Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 150 V Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 100 V Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 100 V Mejora, PowerPAK de 6 pines
- MOSFET sencillos VDSS 30 V Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 30 V Mejora, PowerPAK de 8 pines