MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 100 V, ID 5.9 A, Mejora, PowerPAK de 7 pines
- Código RS:
- 653-094
- Nº ref. fabric.:
- SIB4122DK-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 653-094
- Nº ref. fabric.:
- SIB4122DK-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Serie | SIB4122DK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.160Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 2.9nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 12.5W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 1.6mm | |
| Altura | 1.6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Serie SIB4122DK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.160Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.9nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 12.5W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 1.6mm | ||
Altura 1.6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para conmutación de alta eficiencia en sistemas de alimentación compactos. Admite hasta 100 V de tensión de fuente de drenaje. Envasado en PowerPAK SC-75, utiliza la tecnología ThunderFET Gen IV para proporcionar un bajo RDS(on), conmutación rápida y un excelente rendimiento térmico en diseños de espacio limitado.
Sin Pb
Sin halógenos
Cumplimiento de RoHS
Se utiliza en retroiluminación de LED
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