MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SIB4122DK-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 5.9 A, Mejora, PowerPAK de 7 pines

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Código RS:
653-093
Nº ref. fabric.:
SIB4122DK-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

5.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

SIB4122DK

Encapsulado

PowerPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.160Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

12.5W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

2.9nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.6mm

Anchura

1.6 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

1.6mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para conmutación de alta eficiencia en sistemas de alimentación compactos. Admite hasta 100 V de tensión de fuente de drenaje. Envasado en PowerPAK SC-75, utiliza la tecnología ThunderFET Gen IV para proporcionar un bajo RDS(on), conmutación rápida y un excelente rendimiento térmico en diseños de espacio limitado.

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

Se utiliza en retroiluminación de LED

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