MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SIB4122DK-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 5.9 A, Mejora, PowerPAK de 7 pines

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Código RS:
653-093
Nº ref. fabric.:
SIB4122DK-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

5.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

SIB4122DK

Encapsulado

PowerPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.160Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

12.5W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

2.9nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

1.6mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.6mm

Anchura

1.6mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para conmutación de alta eficiencia en sistemas de alimentación compactos. Admite hasta 100 V de tensión de fuente de drenaje. Envasado en PowerPAK SC-75, utiliza la tecnología ThunderFET Gen IV para proporcionar un bajo RDS(on), conmutación rápida y un excelente rendimiento térmico en diseños de espacio limitado.

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

Se utiliza en retroiluminación de LED

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