MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SIHR120N60E-T1-GE3, VDSS 600 V, ID 32 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

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Código RS:
653-083
Nº ref. fabric.:
SIHR120N60E-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

32A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

PowerPAK

Serie

E

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.12Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Disipación de potencia máxima Pd

278W

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

29nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

8 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de la serie E de 4a generación de Vishay está optimizado para aplicaciones de conmutación de alto rendimiento. Ofrece una baja cifra de mérito (FOM), pérdidas de conmutación y conducción reducidas y baja capacitancia efectiva. Envasado en el PowerPAK 8x8LR compacto, es ideal para usar en servidores, telecomunicaciones, iluminación y fuentes de alimentación industriales.

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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