MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHH26N60E-T1-GE3, VDSS 600 V, ID 25 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines
- Código RS:
- 124-2251
- Nº ref. fabric.:
- SIHH26N60E-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 25A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | E | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 135mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 202W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 77nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1mm | |
| Longitud | 8.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 25A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie E | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 135mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 202W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 77nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1mm | ||
Longitud 8.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- TW
MOSFET de canal N, serie E, bajo factor de mérito, Vishay Semiconductor
Los MOSFET de potencia de la serie E de Vishay son transistores de alta tensión con un nivel máximo en resistencia, factor de mérito bajo y una conmutación rápida. Están disponibles en una amplia gama de corrientes nominales. Las aplicaciones típicas incluyen servidores y fuentes de alimentación para telecomunicaciones, iluminación LED, convertidores Flyback, corrección de factor de potencia (PFC) y fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS).
Características
Bajo factor de mérito (FOM) RDS(on) x QG
Baja capacitancia de entrada (Ciss)
Nivel bajo en resistencia (RDS(on))
Carga de compuerta (Qg) ultrabaja
Conmutación rápida
Menores pérdidas por conmutación y conducción
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
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