MOSFET Vishay SIHH26N60E-T1-GE3, VDSS 600 V, ID 25 A, PowerPAK 8 x 8 de 4 pines, , config. Simple

Código RS:: 124-2251
Nº ref. fabric.:: SIHH26N60E-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SIHH26N60E-T1-GE3, VDSS 600 V, ID 25 A, PowerPAK 8 x 8 de 4 pines, , config. Simple

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 03/11/2025, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio Unidad

5,01 €

(exc. IVA)

6,06 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
1 - 9	5,01 €
10 - 49	3,71 €
50 - 99	3,11 €
100 - 249	2,75 €
250 +	2,61 €

Código RS:: 124-2251
Nº ref. fabric.:: SIHH26N60E-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: TW

Datos del Producto

MOSFET de canal N, serie E, bajo factor de mérito, Vishay Semiconductor

Los MOSFET de potencia de la serie E de Vishay son transistores de alta tensión con un nivel máximo en resistencia, factor de mérito bajo y una conmutación rápida. Están disponibles en una amplia gama de corrientes nominales. Las aplicaciones típicas incluyen servidores y fuentes de alimentación para telecomunicaciones, iluminación LED, convertidores Flyback, corrección de factor de potencia (PFC) y fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS).

Características

Bajo factor de mérito (FOM) RDS(on) x QG
Baja capacitancia de entrada (Ciss)
Nivel bajo en resistencia (RDS(on))
Carga de compuerta (Qg) ultrabaja
Conmutación rápida
Menores pérdidas por conmutación y conducción

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	25 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	600 V
Tipo de Encapsulado	PowerPAK 8 x 8
Serie	E Series
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	135 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	202 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Ancho	8.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	77 nC a 10 V
Longitud	8.1mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Tensión de diodo directa	1.2V
Altura	1mm