MOSFET, N-Canal Vishay SIHH150N60E-T1-GE3, VDSS 600 V, ID 19 A, Mejora, PowerPAK 8 x 8 de 4 pines
- Código RS:
- 279-9914
- Nº ref. fabric.:
- SIHH150N60E-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 unidad)*
5,57 €
(exc. IVA)
6,74 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 3000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 49 | 5,57 € |
| 50 - 99 | 5,46 € |
| 100 - 249 | 5,34 € |
| 250 - 999 | 5,23 € |
| 1000 + | 5,14 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 279-9914
- Nº ref. fabric.:
- SIHH150N60E-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 19A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | PowerPAK 8 x 8 | |
| Serie | SIHH | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.158Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 156W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 36nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 8mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 19A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado PowerPAK 8 x 8 | ||
Serie SIHH | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.158Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 156W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 36nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 8mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie SIHH de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 600 V, corriente de drenaje continua máxima de 19 A - SIHH150N60E-T1-GE3
Este MOSFET es un dispositivo de canal N de alta tensión diseñado para la conmutación de potencia en conjuntos de montaje en superficie. Funciona en un amplio rango de temperaturas y admite una corriente continua sustancial, lo que lo convierte en adecuado para sistemas electrónicos exigentes que requieren un manejo de tensión robusto y resistencia térmica.
Características y ventajas:
• La clasificación de 600 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 19 A admite corrientes de carga significativas
• La baja resistencia de conexión de 0,158 Ω reduce las pérdidas por conducción
• La disipación de potencia de 156 W permite una carga térmica elevada
• La carga de puerta de 36 nC proporciona un rendimiento de conmutación predecible
• El límite de puerta Vgs de 30 V ofrece protección contra sobretensión de puerta
• La corriente de drenaje continua de 19 A admite corrientes de carga significativas
• La baja resistencia de conexión de 0,158 Ω reduce las pérdidas por conducción
• La disipación de potencia de 156 W permite una carga térmica elevada
• La carga de puerta de 36 nC proporciona un rendimiento de conmutación predecible
• El límite de puerta Vgs de 30 V ofrece protección contra sobretensión de puerta
Aplicaciones
• Apto para convertidores e inversores de potencia de alta tensión
• Ideal para fuentes de alimentación de modo conmutado en equipos industriales
• Se utiliza con accionamientos de motor que requieren una gran capacidad de corriente
• Puede utilizarse para la conmutación de potencia robusta en sistemas de telecomunicaciones
• Apto para módulos de potencia compactos de montaje en superficie
• Ideal para fuentes de alimentación de modo conmutado en equipos industriales
• Se utiliza con accionamientos de motor que requieren una gran capacidad de corriente
• Puede utilizarse para la conmutación de potencia robusta en sistemas de telecomunicaciones
• Apto para módulos de potencia compactos de montaje en superficie
¿Qué condiciones térmicas puede soportar durante el funcionamiento?
Está diseñado para funcionar a temperaturas de –55 a 150 °C, lo que permite su uso en entornos con rangos de temperatura extremos.
¿Qué tipo de montaje es necesario para la integración en PCB?
Se suministra en un encapsulado de montaje en superficie PowerPAK 8x8 diseñado para soldadura directa de PCB.
¿Cuántas conexiones eléctricas proporciona el componente?
El dispositivo tiene una configuración de cuatro contactos para conectarse con los requisitos de disposición de puerta, drenaje y fuente.
¿Qué modo de conducción de canal utiliza para la conmutación?
Se trata de un dispositivo de canal N de modo de mejora que conduce cuando se aplica una tensión de fuente de puerta positiva.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, PowerPAK 8 x 8 de 4 pines
- MOSFET de potencia VDSS 60 V N, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, PowerPAK 1212-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PowerPAK 1212-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines