MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHH150N60E-T1-GE3, VDSS 600 V, ID 19 A, Mejora, PowerPAK 8 x 8 de 4 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
279-9914
Nº ref. fabric.:
SIHH150N60E-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

19A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

PowerPAK 8 x 8

Serie

SIHH

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.158Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

156W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

36nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

8mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Vishay es de potencia de la serie E, y el transistor que contiene está fabricado de un material conocido como silicio.

Tecnología de la serie E de 4.ª generación

Bajo factor de mérito (FOM), Ron x Qg

Capacitancia efectiva baja

Calificación energética de avalancha

Reducción de pérdidas de conmutación y conducción

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