MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHH150N60E-T1-GE3, VDSS 600 V, ID 19 A, Mejora, PowerPAK 8 x 8 de 4 pines

Este MOSFET es un transistor de canal N de alta tensión diseñado para funciones de conmutación y gestión de potencia en sistemas industriales y electrónicos. Funciona en un amplio rango térmico y está encapsulado para montaje en superficie, lo que lo convierte en adecuado para conjuntos de alimentación compactos donde se requiere conmutación controlada de altas tensiones.

• La potencia nominal de drenaje-fuente de 600 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión • La corriente de drenaje continua de 19 A admite corrientes de carga sustanciales • La Rds(on) de 0,158 Ω reduce las pérdidas de conducción en la corriente de funcionamiento • La carga de puerta típica de 36 nC permite una energía de conmutación predecible • La disipación de potencia máxima de 156 W gestiona la carga térmica en diseños • El umbral de puerta de 30 V admite tensiones de accionamiento de puerta estándar

• Apto para fuentes de alimentación de alta tensión e inversores • Ideal para etapas de conmutación de accionamiento de motor industriales • Se utiliza para la conversión de potencia de modo conmutado en sistemas de automatización • Se puede utilizar para conmutar cargas de alta tensión en equipos de prueba

Está clasificado para funcionar hasta -55 °C y hasta 150 °C, lo que permite su uso en entornos térmicos hostiles.

Se suministra en un encapsulado de montaje en superficie PowerPAK 8x8 con cuatro contactos para montaje en PCB de perfil bajo.

La tensión de puerta-fuente no debe superar 30 V para evitar exceder los límites de puerta.

El encapsulado de superficie PowerPAK 8x8 combinado con la capacidad de disipación de 156 W permite una transferencia de calor eficiente cuando se combina con el diseño térmico de PCB adecuado.