Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHH150N60E-T1-GE3, VDSS 600 V, ID 19 A, Mejora, PowerPAK 8 x 8 de 4 pines

Código RS:: 279-9913
Nº ref. fabric.:: SIHH150N60E-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHH150N60E-T1-GE3, VDSS 600 V, ID 19 A, Mejora, PowerPAK 8 x 8 de 4 pines

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Código RS:: 279-9913
Nº ref. fabric.:: SIHH150N60E-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	19A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	600V
	Encapsulado	PowerPAK 8 x 8
	Serie	SIHH
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.158Ω
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	36nC
	Disipación de potencia máxima Pd	156W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Longitud	8mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 19A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V
	Encapsulado PowerPAK 8 x 8
	Serie SIHH
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.158Ω
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 36nC
	Disipación de potencia máxima Pd 156W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf 1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares RoHS
	Longitud 8mm
	Estándar de automoción No

Datasheet - SIHH150N60E-T1-GE3

El MOSFET de Vishay es de potencia de la serie E, y el transistor que contiene está fabricado de un material conocido como silicio.

Tecnología de la serie E de 4.ª generación

Bajo factor de mérito (FOM), Ron x Qg

Capacitancia efectiva baja

Calificación energética de avalancha

Reducción de pérdidas de conmutación y conducción

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