MOSFET, N-Canal Vishay SIHK155N60E-T1-GE3, VDSS 600 V, ID 19 A, Mejora, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines

Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidad

Subtotal (1 unidad)*

5,16 €

(exc. IVA)

6,24 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 2000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)
Por unidad
1 - 495,16 €
50 - 995,05 €
100 - 2494,96 €
250 - 9994,84 €
1000 +4,74 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
279-9920
Nº ref. fabric.:
SIHK155N60E-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

19A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

PowerPAK 10 x 12

Serie

SIHK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.158Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

36nC

Disipación de potencia máxima Pd

156W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

9.9mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

MOSFET serie SIHK de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 600 V, corriente de drenaje continua de 19 A - SIHK155N60E-T1-GE3


Este MOSFET es un transistor de conmutación de canal N de alta tensión diseñado para aplicaciones de alimentación de montaje en superficie. Funciona en modo de mejora y es adecuado para sistemas electrónicos que requieren una corriente de drenaje considerable y un manejo de potencia elevado en un amplio rango de temperaturas. El dispositivo está diseñado para el montaje en un encapsulado compacto PowerPAK 10x12 y cumple los requisitos RoHS.

Características y ventajas:


• La clasificación de 600 V permite su uso en etapas de potencia de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 19 A admite corrientes de carga sostenidas
• La disipación de potencia máxima de 156 W gestiona el trabajo de conmutación intensivo
• La baja Rds(on) de 0,158 Ω reduce las pérdidas por conducción
• La carga de puerta típica de 36 nC facilita un rendimiento de conmutación predecible
• La unidad de puerta máxima de 30 V permite el control de puerta de nivel lógico estándar

Aplicaciones


• Apto para conmutación de lado primario SMPS en fuentes de alimentación
• Ideal para etapas de inversor de accionamiento de motor industrial
• Se utiliza para módulos de conversión dc-dc de alta tensión
• Se puede utilizar para cuasi-relés y matrices de conmutación de estado sólido
• Apto para equipos de telecomunicaciones y distribución de energía industrial

¿Qué rango térmico puede soportar en instalaciones exigentes?


Está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 150 °C, lo que permite su despliegue en entornos industriales hostiles.

¿Qué consideraciones de montaje son relevantes para la gestión térmica?


El formato PowerPAK 10x12 de montaje en superficie permite un disipador de calor estrecho y diseños de PCB de baja resistencia térmica cuando se combina con fundición de cobre y vias adecuadas.

¿Cuántos contactos hay y cómo afecta a la disposición de la placa de circuito impreso?


El dispositivo utiliza una configuración de 8 contactos, lo que permite conexiones de drenaje, fuente y puerta dedicadas para un enrutamiento compacto de alta corriente.

¿Cuál es la tensión directa típica y dónde es relevante?


La tensión directa es de 1,2 V, lo que es relevante para escenarios de conducción de diodo de cuerpo y rendimiento de recuperación inversa durante transitorios de conmutación.

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.